1.​韩媒：芯片巨头计划升级在华工厂 据韩媒报道，韩国芯片巨头SK海力士准备打破美国对华极紫外（EUV）光刻机出口相关限制，对其中国半导体工厂进行技术提升改造。这被外界解读为，随着半导体市场的复苏以及中国高性能半导体制造能力提升，一些韩国芯片企业准备采取一切可以使用的方法来提高在华工厂制造工艺水平。韩国《首尔经济》13日的报道援引韩国业内人士的话称，SK海力士计划今年将其中国无锡工厂的部分动态随机存取存储器（DRAM）生产设备提升至第四代10纳米工艺。对于“无锡工厂将技术升级”的消息，SK海力士方面表示“无法确认工厂的具体运营计划”。无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，产量约占其DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10纳米DRAM。报道认为，SK海力士对无锡工厂进行技术升级并不容易，因为美国为阻止中国半导体产业崛起，从2019年开始单方面限制制造尖端半导体必需的EUV光刻机出口中国。报道称，随着全球半导体市场进入复苏，SK海力士认为高性能芯片产能扩张已经刻不容缓，需要10纳米级第四代DRAM或更高版本产品来维持其市场份额。SK海力士总裁郭鲁正出席CES展会时表示：“我们自去年以来就地缘政治问题组建了内部工作组，相信企业风险由此得到很大程度的缓解。”中国半导体产业水平迅速提升引发韩媒高度关注。韩联社12日称，投资银行巴克莱的分析师在一份报告中称，中国半导体制造商比外界所认为的要“多得多”。瑞银集团近期的一份报告称，虽然美国正用各种方式阻止中国半导体崛起，但中国克服这些限制的能力不容小觑。中国企业正在加强对主要半导体制造设备的采购以增加供应。去年包括荷兰阿斯麦集团在内的国际半导体设备生产商来自中国的订单激增。

1.巴克莱：中国芯片产能有望在5到7年内增长一倍以上 巴克莱分析师的一份研究报告指出，根据中国本土制造商的现有计划，中国的芯片产能将在五到七年内增长一倍以上。包括Joseph Zhou和Simon Coles的分析师认为，三年内，中国的芯片产能有提升60%的潜力。包括40-65纳米的传统芯片将占中国产能扩张中的较大一块。

1.高通CEO：高通车用芯片业务有望超额完成销售目标 1月10日消息，高通公司CEO克里斯蒂亚诺·阿蒙（Cristiano Amon）表示，公司车用芯片业务有望超过销售预期，这将有助于减少高通对手机等电子产品芯片业务的依赖。 目前高通是智能手机芯片的最大销售商。该公司预计，到2026年，车用芯片部门的销售额将达到约40亿美元，到本世纪20年代末，车用芯片业务营收将增至90亿美元。 阿蒙在拉斯维加斯举行的2024年国际消费电子展上接受采访时表示：“我认为我们已经超越了这些目标。” 自阿蒙于2021年6月份接任高通首席执行官以来，实现收入来源多元化一直是他任期内的一项关键工作。高通正在销售更多用于处理车辆驾驶和娱乐功能的芯片，同时也在销售用于各种电子设备（例如个人电脑、耳机等）的处理器。他们希望这块业务能随着智能手机市场的不断成熟而继续保持增长势头。 本周二，高通股价上涨1.4%，达到140.95美元。去年全年，高通股价上涨了32%。

​​​1.​《国家汽车芯片标准体系建设指南》出台 新华社北京1月8日电（记者张辛欣、王悦阳）工业和信息化部组织编制并于近日印发《国家汽车芯片标准体系建设指南》，旨在进一步推进汽车芯片标准研制和贯彻实施，助力汽车芯片研发应用。这是记者8日从工业和信息化部获悉的。指南明确，将根据汽车芯片技术现状、产业应用需要及未来发展趋势，分阶段建立健全标准体系，加大力量优先制定基础、共性及重点产品等急需标准，再根据技术成熟度，逐步推进产品应用和匹配试验标准制定。到2025年，制定30项以上汽车芯片重点标准，明确环境及可靠性、电磁兼容、功能安全及信息安全等基础性要求；到2030年，制定70项以上汽车芯片相关标准，进一步完善基础通用、产品与技术应用及匹配试验的通用性要求，实现对于前瞻性、融合性汽车芯片技术与产品研发的有效支撑。汽车芯片是汽车电子系统的核心元器件。与消费类及工业类芯片相比，汽车芯片的应用场景更为特殊，对环境适应性、可靠性和安全性的要求更为严苛，有效开展汽车芯片标准化工作，将更好满足汽车技术和产业发展需要。

​1.英伟达将恢复中国“特供版”AI芯片出货 据台湾“中时新闻”网1月6日报道，半导体制造商英伟达（NVIDIA）将恢复中国“特供版”AI芯片出货，目前美国对中国销售态度似乎有所软化，2024年第二季度将开始量产H20和其他AI芯片。

1.外媒：英伟达、AMD、高通和联发科等客户今年将向台积电购买N3E产能 1月4日消息，据外媒报道，今年，除了苹果外，英伟达、AMD、高通和联发科等客户都将向台积电下单购买第二代3纳米工艺（N3E）产能。 报道称，高通预计将在其即将推出的骁龙8 Gen 4 SoC中采用N3E工艺，而联发科计划在其下一代天玑9400芯片中采用N3E工艺。此外，AMD的Zen 5 CPU、RDNA 4 GPU以及英伟达的Blackwell服务器GPU也将采用N3E工艺。 据悉，台积电规划了多达五种3纳米工艺，分别是N3/N3B、N3E、N3P、N3S和N3X，其中N3B是其首个3纳米节点，已于2022年12月开始量产。 在台积电的3纳米工艺量产后，苹果在2023年成为这一工艺的唯一客户。苹果的竞争对手，如高通和联发科，出于成本考虑选择了4纳米工艺。 据悉，台积电一直主要通过其N3B工艺来满足苹果的3纳米芯片订单需求。苹果在2023年10月份发布的M3、M3 Pro、M3 Max芯片是首款采用台积电3纳米工艺的芯片，而iPhone 15 Pro系列使用的A17芯片同样也基于台积电的3纳米工艺打造。外媒报道称，苹果将继续在其M3 Ultra芯片和A18 Pro SoC中使用台积电的3纳米工艺。 据报道，台积电预计其N3E工艺将在2024年获得更多订单。随着台积电收到更多3纳米订单（不仅仅来自苹果公司），该公司的3纳米产能到2024年底将达到80%。